半导体光刻技术

创建集成电路（IC）的基本过程依赖于光刻技术中的图案转移技术。集成电路行业主要依靠三个工艺：金属沉积、图案化和选择性掺杂。 

这使得内存芯片、微芯片、印刷电路板和微处理器得以在半导体表面上制造出来。在半导体中，导体和绝缘体被用来创建连接或隔离区域。电子设备中的图案化电极设计会产生不均匀的电场。随着电场的消散，这反过来又允许施加较低的电压，从而降低了必要的功耗。  

金属沉积 

金属膜沉积用于制造电气元件和传感器涂层。通过金属沉积可以形成结构层、牺牲层、导电层和绝缘层。例如，二氧化硅既可用作牺牲层，也可用作掩膜材料。金属沉积过程中产生的薄膜厚度取决于反应并生长到基底材料上的材料量。影响薄膜生长的关键参数包括温度和沉积时间。热氧化法用于在硅基底上生长一层均匀的二氧化硅。氧气（O₂)接触决定氧化层厚度，接触时间越长，氧化层越厚。温度越高，反应速度越快。值得注意的是，在形成氧化层的过程中，底层硅的一部分会被消耗掉。氧化过程中大约会消耗 45% 的硅。氧化层厚度还与硅晶片的颜色直接相关。通常使用颜色图来表示氧化层厚度。  

图案 

要在基底上实现微特征，需要使用波长更短的光，目前正在探索的技术包括 新一代光刻技术.微型芯片由微小的电路元件组成，这些元件被图案化在硅等半导体上。晶体管被图案化在基板上，用作开关和放大器。最常见的微型芯片包括逻辑芯片和存储芯片。芯片通常根据其相应的功能进行分组。逻辑芯片处理信息，而存储芯片存储信息。制造这些微型芯片需要光刻技术。在光刻过程中，基片表面要经过清洁、旋涂光刻胶、覆盖光掩膜、紫外光照射和溶剂显影以形成图案。

选择性兴奋剂 

半导体掺杂是指改变材料的导电性。这可以通过扩散或离子注入来实现。价电子或外层电子的数量可用于确定掺杂类型。在 p 型掺杂中，有三个价电子，而在 n 型掺杂中，有五个价电子。这两种掺杂都是通过增加自由电子（n 型）或空穴数量（p 型）来提高半导体的导电性。当两者结合时，就形成了 p-n 结，用于控制电荷的流动。硅是一种常见的基底材料，因为它可以与其他导电金属混合使用。  

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