基于光刻技术的升空

升华通常是在一系列光刻步骤之后进行的，这些步骤是在基底上形成光阻层。化学升华和金属升华方法用于在表面上形成独特的图案。与湿法蚀刻相比，这两种剥离都比较耗时，但剥离是一种更安全的方法，可降低生产成本并提高加工能力。

通过在图案光刻胶上沉积一层金属膜，金属掀离技术可用于制作图案。通过溶剂去除光刻胶，使图案区域的金属在基底上保持完整。常见的金属剥离类型包括双层剥离和图像反转。

双层提升

在双层脱模过程中，两种不同类型的光刻胶会沉积在一起。顶层通常是图案化的，而底层则是下切的，以提供一个掀离轮廓。不同层的选择基于其防止光阻混合的能力。这种剥离方法包括正向抗蚀层和剥离抗蚀层（LOR），正向抗蚀层的暴露区域是可溶的，而未暴露区域则受到保护。LOR 抗蚀剂不溶于光刻胶溶剂，但可溶于大多数光刻胶显影剂。此外，LOR 阻焊剂的溶解速率可控，可通过调整溶解速率来创建理想的底切，以便于剥离。

双层升华的优点是可以同时沉积多层，从而简化升华处理过程。此外，双层升华可用于制造需要双层结构的半导体器件。

图像反转

光刻技术中的图像反转（IR）是通过反转已曝光光刻胶的倾斜轮廓来创建理想的底部切口，从而实现光刻。通过反转色调光掩模，可在基底表面形成负图案。IR 需要额外的步骤，即反向烘烤和淹没曝光，以创建抗蚀剂图像。在反转烘烤过程中，曝光的抗蚀剂在显影过程中会变得不溶解。增加烘烤时间和温度会降低显影率。显影速率会影响光刻胶的下切程度。在淹没曝光中，光刻胶的未曝光区域变得可显影。由于没有光罩，曝光水平通常是首次初始曝光的两倍。为了保持水合表面，需要用水进行再水合，这反过来又有助于保持较高的显影率。

化学剥离是一种减法工艺，通常通过批量浸泡进行：

批量浸入

批量浸入法是将光刻胶图案基底放入化学蚀刻液中。蚀刻率用于确定基底浸没的时间和蚀刻液加热的温度。很难避免不需要的金属碎片重新沉积到基底表面。可以通过悬挂基底，使金属碎片向下掉落，远离基底表面来避免这种情况。

化学剥离会在加工过程中造成不必要的残留物和化学污染。为了有效去除不需要的金属区域，通常还需要高温。批量浸入式脱模通常会使用酸类等危险化学品。这就要求在加工过程中采取额外的安全措施。

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