Thermische Oxid-Silizium-Wafer - Si/SiO2-Wafer

$60.00

Silizium-Wafer (4″-Durchmesser) mit nassem thermischen Oxid (Siliziumdioxid, SiO2, 285 nm dick)

 

Vorrätig

Artikelnummer: SW.100MM.WTO Kategorie:

Beschreibung

  • Nasses thermisches Oxid (Siliziumdioxid, SiO2) auf beiden Seiten
  • Oxidschichtdicke: 285-nm +/- 5%
  • Art: P
  • Dotierstoff: Bor
  • Polieren: Einseitig (SSP)
  • Note: Prime
  • Abmessungen: 100-mm-Durchmesser
  • Dicke: 525 +/- 25 μm
  • Widerstandswert: ≤ 0,005 Ohm-cm
  • Orientierung:
  • SEMI-Wohnungen: 2