Plaque de silicium à oxyde thermique - Plaque Si/SiO2

Description

• Oxyde thermique humide (dioxyde de silicium, SiO2) sur les deux faces
• Épaisseur de l'oxyde : 285 nm +/- 5%
• Type : P
• Dopant : Bore
• Polissage : simple face (SSP)
• Grade : Prime
• Dimensions : Diamètre de 100 mm
• Épaisseur : 525 +/- 25 μm
• Résistivité : ≤ 0,005 ohm-cm
• Orientation :
• Plats SEMI : 2