열 산화물 실리콘 웨이퍼 - Si/SiO2 웨이퍼

설명

• 양면 습식 열 산화물(이산화규소, SiO2)
• 산화물 두께: 285-nm +/- 5%
• 유형: P
• 도판트: 붕소
• 폴리싱: 단면(SSP)
• 등급: 등급: 프라임
• 치수: 직경 100mm
• 두께: 525 +/- 25 μm
• 저항률: ≤ 0.005옴-cm
• 오리엔테이션:
• 세미 아파트: 2